Departamento de Física coordena primeiro polo teórico-experimental de nanomagnetismo de Minas

23 de novembro de 2017

A recente aprovação pela Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais (Fapemig) do projeto de criação da Rede de Nanomagnetismo: Investigação e Desenvolvimento de Interfaces e Dispositivos tornará a UFV a primeira instituição do interior de Minas Gerais com potencial para nanofabricação de estruturas de dimensões mínimas laterais de até 20 nanômetros (nm). Tal potencialidade está relacionada à aplicação da verba aprovada na aquisição de um sistema de nanolitografia por feixe eletrônico e na adequação da sala limpa do Departamento de Física (DPF). Essas medidas, juntamente com os equipamentos multiusuários já existentes (Raio-x e Raman) e com o Centro de Nanoscopia do Departamento, possibilitarão o desenvolvimento de dispositivos spintrônicos e nanomagnéticos e de dispositivos micro e nanoestruturados interdisciplinares para aplicação, por exemplo, em microfluídica, estudos bacteriológicos, de DNA e de alimentos.

Sediada no Departamento de Física da UFV, sob coordenação e vice-coordenação dos professores Afranio Rodrigues Pereira e Clodoaldo Araújo, respectivamente, a Rede de Nanomagnetismo envolve outros seis Institutos de Ciência e Tecnologia (ICT) do interior de Minas Gerais. Além de institucionalizar o primeiro polo teórico-experimental de nanomagnetismo no estado, ela contribuirá para que os ICTs envolvidos aumentem significativamente suas potencialidades experimentais em nanotecnologia – considerada uma área estratégica para o país desde 2012, quando foi criado o Sistema Nacional de Laboratórios em Nanotecnologia (SisNano).

Nos dias atuais, em que 99% das informações estão armazenadas em mídias magnéticas, o desenvolvimento de novas tecnologias para aumento de densidade e portabilidade de informação é urgente, na avaliação do professor Clodoaldo Araújo. Além da utilização de dispositivos nanomagnéticos para armazenamento de informação, sua aplicação vem sendo cotada como provável substituta da tecnologia do silício em dispositivos lógicos e de memória. “A tecnologia atual, por ser baseada em efeitos capacitivos, é ineficiente em pequenas dimensões (menores que 10nm)”, explica o professor.

Segundo ele, estima-se que toda tecnologia de memorias randômicas DRAM, baseadas em tecnologia do silício, será substituída, a partir de 2018, pelas chamadas Memórias Magnetorresistivas de Acesso Randômico (MRAM). Elas preservam as informações quando desligadas (não voláteis) e são mais rápidas e insensíveis à radiação.

O professor conta que ainda existem diversos estudos que visam à obtenção de dispositivos lógicos nanomagnéticos e spintrônicos, que utilizem diferentes materiais como o grafeno e outros da classe dos materiais 2D, a serem aplicados em substituição à tecnologia CMOS do silício. Portanto, “o desenvolvimento teórico e experimental voltado à melhoria dos dispositivos citados, é de fundamental importância no cenário mundial, consequentemente nacional e estadual”.